Chodzi o pamięci wysokiej przepustowości HBM4, których produkcja na masową skalę ma ruszyć w 2026 roku. HBM to rodzaj szybkiej pamięci używanej do obliczeń wymagających dużej wydajności. Wysoka przepustowość i małe opóźnienia takich pamięci sprawiają, że nadaje się ona idealnie do obsługi aplikacji wymagających szybkiego przesyłania danych.

Firmy produkujące pamięci HBM robią wszystko, aby możliwie jak najszybciej opanować ten rynek. Mają bowiem świadomość tego, że popyt na takie pamięci będzie w najbliższej przyszłości lawino rósł, gdyż aplikacje AI muszą mieć do dyspozycji bardzo szybkie serwery, których wydajność w dużej mierze zależy od tego, jak szybko pracują zainstalowane w nich układy pamięci.

Zobacz również:

• Elon Musk złożył niespodziewaną wizytę w Chinach
• TSMC: produkcja chipów z użyciem technologii A16 ruszy w 2026 roku

Firma SK hynix korzysta obecnie z opatentowanej przez nią technologii, której używa do produkcji matryc służących jej do wytwarzania pamięci HBM3E. Porozumienie MoU przewiduje, że TSCM udostępni firmie SK hynix technologię, która pozwali jej zmodyfikować matryce w taki sposób, aby posłużyły do produkcji pamięci HBM4. Technologia ta pozwala upakować na ograniczonej powierzchni matrycy dodatkowe elementy. Ma to być przełomowe rozwiązanie w zakresie wydajności pamięci HBM.

SK hynix i TSMC zgodziły się również pracować nad integracją technologii HBM firmy SK hynix i technologii CoWoS firmy TSMC. „Oczekujemy, że silne partnerstwo z TSMC pomoże przyspieszyć nasze wysiłki na rzecz otwartej współpracy z naszymi klientami i opracować najskuteczniejszy w branży pamięci HBM4”, powiedział Justin Kim, prezes i szef działu AI Infra w firmie SK hynix. „Dzięki tej współpracy jeszcze bardziej wzmocnimy naszą wiodącą pozycję na rynku jako kompleksowy dostawca pamięci AI”.

Źródło: evertiq